型号:

STB55NF06LT4

RoHS:无铅 / 符合
制造商:STMicroelectronics描述:MOSFET N-CH 60V 55A D2PAK
详细参数
数值
产品分类 分离式半导体产品 >> FET - 单
STB55NF06LT4 PDF
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产品目录绘图 ST Series D2PAK
标准包装 1
系列 STripFET™
FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 55A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C 18 毫欧 @ 27.5A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大) 4.7V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 37nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds 1700pF @ 25V
功率 - 最大 95W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装 D2PAK
包装 剪切带 (CT)
产品目录页面 1541 (CN2011-ZH PDF)
其它名称 497-7462-1
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